當半導體制造邁入后摩爾時代，檢測需求正在快速升級。從傳統晶圓表面缺陷檢測，到先進封裝、多層堆疊結構解析，客戶面臨的挑戰已經不再只是“看得見”，而是要同時解決檢測區域更大、結構更精細、數據量更龐大、節拍要求更高等多重問題。尤其在 Chiplet、CoWoS、FOPLP、RDL、混合鍵合、TSV 等新型工藝持續演進的背景下，檢測系統正在面臨一個越來越突出的矛盾：

• 視場不足：拍攝頻次多，影響檢測效率
• 分辨率不足：微結構難以穩定解析，影響檢測精度
• 吞吐能力不夠強：整機效能與后端 AI 處理能力難以充分釋放。

 

鑫圖100G超高通量面陣相機 Libra 27105 即將登場

 

正是在這樣的產業趨勢下，鑫圖 100G 超高通量面陣相機 Libra 27105 即將登場。

它圍繞半導體檢測對大視場、高精度、高效率的綜合需求而設計，為先進制造場景提供更具競爭力的面陣快照成像方案。

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2.5英寸超大靶面，效率提升3倍

 

隨著 Chiplet、CoWoS、FOPLP 等先進封裝向大尺寸發展，檢測區域持續擴大。傳統面陣相機視場覆蓋不足，需要多次拍攝拼接，導致檢測節拍下降并增加拼接誤差，成為大尺寸封裝AOI效率提升的關鍵限制。

 

Libra 27105采用28.08mm × 28.08mm超大感光區域，相比傳統21MP（GSPRINT 4521）級大靶面工業相機，有效成像面積提升約3倍，對比65MP （GMAX 3265 ）機型提升約 35%；單次拍攝覆蓋更廣，檢測效率顯著提升。

 

112fps@105MP，實現10億級像素/秒高通量采集

 

隨著半導體檢測向自動化、智能化發展，缺陷分類、自動復判和精密量測需要更大規模、更高質量的圖像數據輸入，對相機的數據吞吐能力提出更高要求。

Libra 27105搭載100G CoF高速接口，在1.05億像素全分辨率下，幀率高達112fps，數據吞吐量達到11,760 MP/s。相較典型65MP或21MP級工業相機，數據吞吐能力提升約2.5倍，為AI檢測、缺陷復檢及精密量測提供更高效的數據采集能力。

 

2.74 μm高密度像元，提升精細結構和微缺陷解析力

 

隨著先進封裝中微米級線路、凸點和互連結構不斷增加，檢測系統不僅需要覆蓋更大區域，也需要保持足夠的空間采樣能力。

Libra 27105采用2.74 μm小像元設計，在2.5英寸級超大靶面下實現105MP高分辨率成像，在兼顧大視場與高通量的同時，為精細結構和微小缺陷解析提供更高的空間采樣能力。

 

典型應用場景

 

前道制程	后道制程
晶圓幾何形貌分析	CoWoS大尺寸封裝AOI
薄膜與光刻圖形	RDL精細線路檢測
晶圓表面缺陷檢測	混合鍵合及TSV檢測
晶圓微觀缺陷復檢	微凸點缺陷檢測

 

CIOE 2026 深圳見！

 

鑫圖光電將亮相第二十七屆中國國際光電博覽會（CIOE 2026），展會于 2026年9月9日至11日 在 深圳國際會展中心（寶安新館） 舉辦。我們將攜最新工業檢測解決方案與科學成像解決方案，幫助科研與制造用戶在物理天文、生命科學、工業檢測等領域實現更高精度、更高效率的檢測與突破。現場還有產品演講與技術分享，讓您一手掌握行業前沿成像技術。聯系我們獲取免費門票！

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